<noframes id="vpxzz"><listing id="vpxzz"><nobr id="vpxzz"></nobr></listing>

<address id="vpxzz"></address><address id="vpxzz"></address><span id="vpxzz"><span id="vpxzz"></span></span>
<address id="vpxzz"><address id="vpxzz"><listing id="vpxzz"></listing></address></address>

    <address id="vpxzz"></address>

    <address id="vpxzz"><nobr id="vpxzz"><progress id="vpxzz"></progress></nobr></address>
    <address id="vpxzz"></address>

    <noframes id="vpxzz"><form id="vpxzz"></form>

    <address id="vpxzz"><nobr id="vpxzz"><progress id="vpxzz"></progress></nobr></address>
    咨詢熱線:

    021-61997300

    13761118616

    產品列表PRODUCTS LIST

    首頁 > 技術與支持 > 半導體芯片冷熱沖擊試驗方法高低溫沖擊試驗箱
    半導體芯片冷熱沖擊試驗方法高低溫沖擊試驗箱
    點擊次數:659 更新時間:2023-08-21

    半導體芯片冷熱沖擊試驗方法高低溫沖擊試驗箱

    800-3.jpg


    目的:

    芯片在生產過程中,需要對其進行冷熱沖擊試驗。一般情況下,民用芯片的正常工作溫度范圍是 0℃-70℃,其他芯片性能更高,正常工作溫度范圍是 -55℃-125℃。以上溫度范圍都是芯片工作下的溫度范圍,當芯片不工作時,可以承受超過 200℃ 的焊接溫度。

    試件:

    將試件芯片通電置于置物架上;

    根據要求設定試驗溫度:

    首先對試件進行低溫試驗,再進行高溫試驗,循環次數依要求進行:記錄半導體芯片工作狀態下,在設定溫度下的相關參數,對產品分析,工藝改進以及批次的定向品質追溯提供確實的數據依據。

    試件從低溫或是高溫試驗開始,不同標準有不同的解析。若試驗從低溫段開始,試驗結束在高溫段,若試驗從高溫段開始,結束在低溫段。為防止試件在試驗結束后表面產品凝露,試驗結束在低溫段時需要增加烘干恢復的過程,這樣就增加了試驗周期,建議試驗從低溫段開始,結束在高溫段。

    溫度范圍:-65℃~150℃

    低溫沖擊:-40℃,-55℃,-65℃

    高溫沖擊:65℃,85℃,125℃

    溫度沖擊時間小于3min,1min

    溫度保持時間30min,60min

    測試時間不能少于1000個循環

    熱壓器/無偏壓 HAST測試 參考標準:JESD22-A118

    溫度范圍:100℃~143℃

    濕度范圍:70%RH~100%RH

    壓力范圍:0.5kg~3.5kg

    測試時間不能少于200小時,具體根據用戶實際要求,有些需要達到500小時到1000小時等不同時間

    其他測試標準:GB/T 2423.1-2001 試驗A:低溫試驗方法,試驗B:高溫試驗方法,GJB 150.3-1986 高溫試驗, 低溫試驗, GB 11158《高溫試驗箱技術條件》, IEC60068-2-14 等測試標準。


    国语对白在线视频