将具有核壳结构的二维NaNbOs-AlzO:纳米片(2D  NN-AOPs)与聚偏氟乙烯进行复合，制备了具有高储能密度，高放电效率，能够实现超快放电的NN-AOPs/聚偏氟乙烯复合材料。由于二维纳米填料表面的AO具有良好的绝缘性，可以有效限制电子的迁移以及漏导，从而降低能量损耗;同时无定型的AO层还可以改善复合材料界面的缺陷，提高微观均匀性，因此可以显著的提升材料的击穿场强与储能密度。当NN-AO Ps的含量为3 vol%时，NN-AOPs/聚偏氟乙烯复合材料在440 MV/m的电场强度下，放电密度可达14.59 J/cm3，放电效率高达70.1显著高于纯聚偏氟乙烯。此外，该复合材料的放电时间极短约110 nso NN-AO Ps/聚偏氟乙烯复合材料作为电介质应用于高储能电容器具有极大的潜力。

    制备了具有三明治结构的高储能聚偏氟乙烯复合电介质材料。采用静电纺丝以及剥离烧结等工艺组合制备了纳米纤维网络互连结构，用滴涂法制备出聚合物包覆纳米纤维网络的三明治结构复合薄膜。高长径比，取向一致的纤维结构加上三明治结构的设计，能够形成限制载流子移动的散射界面，使得复合薄膜中“电树枝击穿”路径变得更加曲折，从而阻碍击穿通道的生长;同时高长径比的纤维网络互连结构也有利于分散复合薄膜中的局部电场，可以避免出现因局部“电场浓度”富集而造成的击穿，使得复合薄膜能够承受更高的击穿强度进而拥有更优异的储能密度，同时也维持了较高能量转换效率。复合薄膜在300M V/m的击穿强度下，储能密度达到9.46 J/cm3(达到纯聚偏氟乙烯薄膜储能密度的两倍)，储能效率达到66.8%。该研究成果在解决高介电常数和高击穿场强之间的矛盾中表现出了极大的优势。